BSZ019N03LS

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BSZ019N03LS概述

INFINEON  BSZ019N03LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

BSZ019N03LS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 2800pF @15VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8-FL

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8-FL

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSZ019N03LS
型号: BSZ019N03LS
描述:INFINEON  BSZ019N03LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
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