BD2270HFV-LBTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD2270HFV-LBTR概述

高边 MOSFET

High-Side Gate Driver IC Non-Inverting HVSOF5

得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5

立创商城:
高边 MOSFET

艾睿:
Driver 1-OUT High Side Non-Inv 5-Pin HVSOF EP T/R

BD2270HFV-LBTR中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 130µs, 18µs

输出接口数 1

下降时间Max 60000 ns

上升时间Max 750000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 669 mW

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-665

外形尺寸

封装 SOT-665

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD2270HFV-LBTR

型号： BD2270HFV-LBTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：高边 MOSFET