BD6563FV-LBE2

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BD6563FV-LBE2概述

三通道小信号IGBT / MOSFET栅极驱动器 Three-Channel Small Signal IGBT/MOSFET Gate Drivers

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SSOP-B


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SSOP


贸泽:
门驱动器 ICs, Power Management, 门驱动器, IGBT/MOSFET 门驱动器


安富利:
MOSFET DRVR 0.6A 6-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SSOP-B Embossed T/R


BD6563FV-LBE2中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 6

输出电压 10V ~ 25V

输出电流 600 mA

耗散功率 870 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 870 mW

电源电压 10V ~ 25V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOP-16

外形尺寸

封装 SSOP-16

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD6563FV-LBE2
型号: BD6563FV-LBE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:三通道小信号IGBT / MOSFET栅极驱动器 Three-Channel Small Signal IGBT/MOSFET Gate Drivers

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