MOSFET DRVR 0.13A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOP Embossed T/R
栅极驱动器 IC
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
贸泽:
Gate Drivers 600V Hi voltage High Low-side Gate Driver
安富利:
MOSFET DRVR 0.13A 1-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOP Embossed T/R
上升/下降时间 200ns, 100ns
输出接口数 1
输出电流 60mA, 130mA
耗散功率 670 mW
上升时间 200 ns
下降时间 100 ns
下降时间Max 170 ns
上升时间Max 300 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 670 mW
电源电压 10V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
封装 SOP-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BS2100F-E2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BS2103F-E2 罗姆半导体 | 类似代替 | BS2100F-E2和BS2103F-E2的区别 |