BGA 428 H6327

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BGA 428 H6327中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 50 mW

增益 20 dB

测试频率 1.8 GHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BGA 428 H6327
型号: BGA 428 H6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:射频放大器 RF SILICON MMIC

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