BCP 54-16 E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCP 54-16 E6327概述

Trans GP BJT NPN 45V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4

得捷:
TRANS NPN 45V 1A SOT223-4

安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

DeviceMart:
TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-223

BCP 54-16 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 1.00 A

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP 54-16 E6327

型号： BCP 54-16 E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans GP BJT NPN 45V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

立即咨询

替代型号BCP 54-16 E6327

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCP 54-16 E6327 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BCP5416E6433HTMA1 英飞凌	完全替代	BCP 54-16 E6327和BCP5416E6433HTMA1的区别
BCP54TA 美台	功能相似	BCP 54-16 E6327和BCP54TA的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BCP 54-16 E6327

Infineon 英飞凌

当前型号

BCP5416E6433HTMA1

英飞凌

完全替代

BCP 54-16 E6327和BCP5416E6433HTMA1的区别

BCP54TA

美台

功能相似

BCP 54-16 E6327和BCP54TA的区别