BD682T

BD682T图片1
BD682T图片2
BD682T概述

塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

- 双极 BJT - 单 PNP - 达林顿 100 V 4 A - 40 W 通孔 TO-126


得捷:
TRANS PNP DARL 100V 4A TO126


贸泽:
达林顿晶体管 4A 100V 40W PNP


BD682T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -4.00 A

极性 PNP

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BD682T
型号: BD682T
描述:塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
替代型号BD682T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD682T

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BD682STU

安森美

类似代替

BD682T和BD682STU的区别

BD682S

安森美

类似代替

BD682T和BD682S的区别

BD682

意法半导体

功能相似

BD682T和BD682的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台