BCV47 TR

BCV47 TR图片1
BCV47 TR中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BCV47 TR
型号: BCV47 TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Darlington Transistors NPN 80Vcbo Trans 60Vceo 10Vebo 500mA

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