BCW32T116参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCW32T116概述

Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 100mA

Bipolar BJT Transistor NPN 32V 100mA Surface Mount SST3

得捷:
TRANS NPN 32V 0.1A SST3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 100MA

BCW32T116中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 100 mA

击穿电压集电极-发射极 32 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BCW32T116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 100mA