BCW70T116参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCW70T116概述

Bipolar Transistors - BJT PNP 45V 100mA

- 双极 BJT - 单 PNP 45 V 100 mA - 表面贴装型 SST3

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SST3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 45V 100MA

安富利:
Transistor, Abbreviated markings on mini-mold transistors, T/R

BCW70T116中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

耗散功率 0.2 W

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 210

最大电流放大倍数hFE 500

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW70T116

型号： BCW70T116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Bipolar Transistors - BJT PNP 45V 100mA

替代型号BCW70T116

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCW70T116 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
BC857BT116 罗姆半导体	类似代替	BCW70T116和BC857BT116的区别
SA11 Secos	功能相似	BCW70T116和SA11的区别
2SA1162 Secos	功能相似	BCW70T116和2SA1162的区别