BCW30T116参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCW30T116概述

Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100mA

Bipolar BJT Transistor PNP 32V 100mA Surface Mount SST3

得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SST3

安富利:
Transistor, Abbreviated markings on mini-mold transistors, T/R

BCW30T116中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -100 mA

击穿电压集电极-发射极 32 V

最小电流放大倍数hFE 210

最大电流放大倍数hFE 500

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.3 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW30T116

型号： BCW30T116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100mA