BC369,112

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BC369,112概述

SPT PNP 20V 1A

- 双极 BJT - 单 PNP 20 V 1 A 140MHz 830 mW 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 20V 1A TO92-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK


BC369,112中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 830 mW

增益频宽积 140 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC369,112
型号: BC369,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT PNP 20V 1A
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