BC559C,116

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BC559C,116概述

SPT PNP 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R


BC559C,116中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC559C,116
型号: BC559C,116
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT PNP 30V 0.1A
替代型号BC559C,116
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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