SPT NPN 80V 1A
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 1 A 180MHz 830 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT PIN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 Bulk
极性 NPN
耗散功率 830 mW
增益频宽积 180 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC639,112 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC639G 安森美 | 功能相似 | BC639,112和BC639G的区别 |
BC639RL1G 安森美 | 功能相似 | BC639,112和BC639RL1G的区别 |
BC639-16ZL1G 安森美 | 功能相似 | BC639,112和BC639-16ZL1G的区别 |