BC636,116

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BC636,116概述

SPT PNP 45V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 1A 145MHz 830mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 45V 1A TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R


BC636,116中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC636,116
型号: BC636,116
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT PNP 45V 1A
替代型号BC636,116
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC636,116

NXP 恩智浦

当前型号

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BC636-10

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BC636,116和BC636-10的区别

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