BD140参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD140概述

塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 80 V 1.5 A - 1.25 W Through Hole TO-126

得捷:
TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box

BD140中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 1.50 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： BD140

描述：塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

替代型号BD140

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BD140 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BD140G 安森美	类似代替	BD140和BD140G的区别

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BD140

ON Semiconductor 安森美

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BD140G

安森美

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