通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 PNP硅 特点 •无铅包可用
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC858CLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC858CLT3G 安森美 | 类似代替 | BC858CLT1和BC858CLT3G的区别 |
BC858CMTF 安森美 | 类似代替 | BC858CLT1和BC858CMTF的区别 |
BC858CLT1G 安森美 | 功能相似 | BC858CLT1和BC858CLT1G的区别 |