BCP68T1

BCP68T1图片1
BCP68T1图片2
BCP68T1图片3
BCP68T1图片4
BCP68T1图片5
BCP68T1图片6
BCP68T1概述

中功率NPN硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V

\---|---

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 60MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 85~375

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V

耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W

Description & Applications| • High Current: IC = 1.0 Amp • The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. • SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die • Available in 12 mm Tape and Reel Use to order the 7 inch/1000 unit reel. Use BCP68T3 to order the 13 inch/4000 unit reel. • The PNP Complement is BCP69T1

描述与应用| •高电流IC=1.0安培 •SOT-223包装可以使用波或回流焊接。 •SOT-223包装保证水平安装,从而提高热导通,并允许目视检查焊点。所形成的线索在焊接热应力吸收,消除损害的可能性电路小片 •可在12毫米编带和卷轴 使用BCP68T1到责令7 inch/1000的单位卷轴。 使用BCP68T3责令13 inch/4000的单位卷轴。 •PNP补语是BCP69T1

BCP68T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 60 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCP68T1
型号: BCP68T1
描述:中功率NPN硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
替代型号BCP68T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCP68T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BCP68T1G

安森美

类似代替

BCP68T1和BCP68T1G的区别

BCP68

安森美

类似代替

BCP68T1和BCP68的区别

BCP68,115

安世

功能相似

BCP68T1和BCP68,115的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台