BUD42DT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUD42DT4概述

高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability

Bipolar BJT Transistor NPN 350V 4A 25W Surface Mount DPAK

得捷:
TRANS NPN 350V 4A DPAK

Win Source:
TRANS NPN 350V 4A DPAK

BUD42DT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 25 W

耗散功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BUD42DT4

型号： BUD42DT4

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability

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替代型号BUD42DT4

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