BC638,116参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC638,116概述

SPT PNP 60V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 60V 1A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R

BC638,116中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC638,116

型号： BC638,116

描述：SPT PNP 60V 1A