SPT NPN 80V 1A
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
得捷: TRANS NPN 80V 1A TO92-3
艾睿: Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 Ammo
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册