BC817-16LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC817-16LT1概述

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

BC817-16LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 500 mA

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC817-16LT1

型号： BC817-16LT1

描述：通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

替代型号BC817-16LT1