NPN硅高压晶体管表面贴装 NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 400V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 350V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 70MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation| 800mW/0.8W
Description & Applications| NPN Silicon Epitaxial Transistor High Voltage: VBRCEO of 250 and 350 Volts. The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joins. the formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die Available in 12 mm Tape and Reel PNP Complement is BSP16T1
描述与应用| NPN硅外延 高电压V(BR)CEO的250和350伏特。 SOT-223封装,可以使用波或回流焊接。 SOT-223包装保证水平安装,从而提高热传导,并允许目视检查焊接连接。所形成的线索在焊接热应力吸收,消除模具损坏的可能性 可在12毫米编带和卷轴 PNP补BSP16T1
额定电压DC 350 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.5 mW
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSP19AT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP19A 安森美 | 类似代替 | BSP19AT1和BSP19A的区别 |
BSP19AT1G 安森美 | 功能相似 | BSP19AT1和BSP19AT1G的区别 |