中功率NPN硅达林顿晶体管表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 90V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 2000 @ 10V,0.5A 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| • This NPN small signal Darlington transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. • The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications,The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die。 • Use to order the 7 inch/1000 unit reel • Pb−Free Packages are Available • PNP Complement is BSP62T1 • Available in 12 mm Tape and Reel 描述与应用| •这NPN小信号达林顿被用在开关应用,如打印电锤,继电器,电磁阀和灯驱动器设计。 •该器件采用SOT-223封装,这是专为中等功率表面贴装应用,SOT-223封装,可以使用波或回流焊接。所形成的线索在焊接热应力吸收,消除模具损坏的可能性。 •使用BSP52T1到责令7 inch/1000的单位卷轴 •无铅包可用 •PNP补BSP62T1 •可在12毫米编带和卷轴
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSP52T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP52T1G 安森美 | 完全替代 | BSP52T1和BSP52T1G的区别 |
BSP52T3G 安森美 | 完全替代 | BSP52T1和BSP52T3G的区别 |
BSP51,115 安世 | 功能相似 | BSP52T1和BSP51,115的区别 |