BC556A,112概述
SPT PNP 65V 0.1A
Bipolar BJT Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A TO-92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT PIN
艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92
BC556A,112中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 500 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free