BC846BLT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC846BLT1概述

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

- 双极 BJT - 单

得捷:
TRANS NPN 65V 100MA SOT23

BC846BLT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC846BLT1

型号： BC846BLT1

描述：通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

替代型号BC846BLT1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC846BLT1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC846BLT1G 安森美	类似代替	BC846BLT1和BC846BLT1G的区别

型号/品牌

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BC846BLT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

BC846BLT1G

安森美

类似代替