通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon
- 双极 BJT - 单
得捷:
TRANS NPN 30V 100MA SOT23
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 30V NPN
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC848ALT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC848ALT1G 安森美 | 完全替代 | BC848ALT1和BC848ALT1G的区别 |
BC848CLT1G 安森美 | 类似代替 | BC848ALT1和BC848CLT1G的区别 |
BC847CLT1G 安森美 | 功能相似 | BC848ALT1和BC847CLT1G的区别 |