BCY59IX参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCY59IX概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low Noise Audio

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 200mA 200MHz 390mW Through Hole TO-18

得捷:
TRANS NPN 45V 0.2A TO18

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low Noise Audio

BCY59IX中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 42.0 V

额定电流 100 mA

耗散功率 390 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 460

额定功率Max 390 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18-3

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5.8 mm

高度 5.3 mm

封装 TO-18-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCY59IX

型号： BCY59IX

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low Noise Audio

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替代型号BCY59IX

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BCY59IX ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
BCY59IXLEADFREE Central Semiconductor	功能相似	BCY59IX和BCY59IXLEADFREE的区别

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BCY59IX

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Central Semiconductor

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