通用晶体管 General Purpose Transistors
- 双极 BJT - 单
得捷:
TRANS PNP 65V 100MA SOT23
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC856BLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856BLT3G 安森美 | 类似代替 | BC856BLT1和BC856BLT3G的区别 |
BC856BLT1G 安森美 | 功能相似 | BC856BLT1和BC856BLT1G的区别 |
BC856B-7-F 美台 | 功能相似 | BC856BLT1和BC856B-7-F的区别 |