BC558CZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC558CZL1G概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 100mA 360MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A TO92

BC558CZL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC558CZL1G

型号： BC558CZL1G

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号BC558CZL1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC558CZL1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC559CTA 飞兆/仙童	功能相似	BC558CZL1G和BC559CTA的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BC558CZL1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

BC559CTA

飞兆/仙童

功能相似