BC517ZL1

BC517ZL1图片1
BC517ZL1图片2
BC517ZL1图片3
BC517ZL1图片4
BC517ZL1图片5
BC517ZL1概述

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 30 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
TRANS NPN DARL 30V 1A TO92


BC517ZL1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30000 @20mA, 2V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC517ZL1
型号: BC517ZL1
描述:达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
替代型号BC517ZL1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC517ZL1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC517G

安森美

完全替代

BC517ZL1和BC517G的区别

BC517

安森美

完全替代

BC517ZL1和BC517的区别

BC517ZL1G

安森美

完全替代

BC517ZL1和BC517ZL1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台