晶体管放大器 Amplifier Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 200MHz 350mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 60V NPN
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC182A ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5087LT1G 安森美 | 功能相似 | BC182A和MMBT5087LT1G的区别 |
ZTX451 美台 | 功能相似 | BC182A和ZTX451的区别 |
MMBT5087LT3G 安森美 | 功能相似 | BC182A和MMBT5087LT3G的区别 |