BC487G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC487G概述

大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon

High Current Transistors

NPN Silicon

Features

•Pb−Free Packages are Available

得捷:
TRANS NPN 60V 0.5A TO92

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Win Source:
TRANS NPN 60V 0.5A TO92 / Bipolar BJT Transistor NPN 60 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226

BC487G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC487G

描述：大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon

替代型号BC487G