BC488BRL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC488BRL1G概述

大电流晶体管PNP硅 High Current Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 150MHz 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 60V 1A TO92

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 T/R

Win Source:
TRANS PNP 60V 1A TO92 / Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 1 A 150MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226

BC488BRL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 2V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC488BRL1G

描述：大电流晶体管PNP硅 High Current Transistors PNP Silicon

替代型号BC488BRL1G