BC338-25ZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC338-25ZL1G概述

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

Amplifier Transistors NPN Silicon

Features

•Pb−Free Packages are Available

得捷:
TRANS NPN 25V 0.8A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 800mA 30V NPN

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo

Win Source:
TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

BC338-25ZL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 210 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC338-25ZL1G

型号： BC338-25ZL1G

描述：放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

替代型号BC338-25ZL1G