BD159

BD159图片1
BD159图片2
BD159图片3
BD159概述

塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications.

Features

• Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment

• Thermopad™ Construction Provides High Power Dissipation Rating for High Reliability

• Pb−Free Package is Available
.

得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 0.5A 350V 20W NPN


BD159中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BD159
型号: BD159
描述:塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
替代型号BD159
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD159

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BD159G

安森美

类似代替

BD159和BD159G的区别

BD159STU

安森美

类似代替

BD159和BD159STU的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台