BC237BZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC237BZL1G概述

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 100mA 200MHz 350mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo

BC237BZL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC237BZL1G

描述：放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

替代型号BC237BZL1G