BC856ALT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC856ALT3G概述

通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3

BC856ALT3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC856ALT3G

描述：通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

替代型号BC856ALT3G