高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 1A TO92
贸泽:
达林顿晶体管 1A 80V NPN
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC373RL1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC373RL1G 安森美 | 完全替代 | BC373RL1和BC373RL1G的区别 |
BC373 安森美 | 完全替代 | BC373RL1和BC373的区别 |
BC373G 安森美 | 完全替代 | BC373RL1和BC373G的区别 |