BC239C参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC239C概述

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 25V 100mA 280MHz 350mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 25V 0.1A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 30V NPN

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk

BC239C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 100 mA

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 380 @2mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： BC239C

描述：放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

替代型号BC239C