BSP52T3参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSP52T3概述

NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 1A 800mW Surface Mount SOT-223

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

BSP52T3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BSP52T3

型号： BSP52T3

描述：NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor

替代型号BSP52T3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSP52T3 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BSP52T3G 安森美	完全替代	BSP52T3和BSP52T3G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BSP52T3

ON Semiconductor 安森美

当前型号

BSP52T3G

安森美

完全替代