高电压晶体管 High Voltage Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 300 mA 200MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
得捷:
TRANS NPN 80V 0.3A TO-92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 300mA 80V NPN
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bulk
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 80.0 V
额定电流 300 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 50 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC447 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |