放大器晶体管 Amplifier Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 100 mA 360MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 360 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC558BZL1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC558BRL1G 安森美 | 完全替代 | BC558BZL1和BC558BRL1G的区别 |
BC558BRL1 安森美 | 完全替代 | BC558BZL1和BC558BRL1的区别 |
BC558BRLG 安森美 | 类似代替 | BC558BZL1和BC558BRLG的区别 |