BC 856BW E6433参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC 856BW E6433概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单 PNP 65 V 100 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323-3

得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

BC 856BW E6433中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 10.0 V

电容 1.50 pF

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC 856BW E6433

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

替代型号BC 856BW E6433