通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC859BLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC859BLT3 安森美 | 完全替代 | BC859BLT1和BC859BLT3的区别 |
BC859BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC859BLT1和BC859BLT1G的区别 |
BC859BLT3G 安森美 | 类似代替 | BC859BLT1和BC859BLT3G的区别 |