BD810

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BD810概述

功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICON

Plastic High Power Silicon Transistor

These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

Features

• DC Current Gain - hFE = 30 Min @ IC = 2.0 Adc

• Pb-Free Packages are Available
.

得捷:
TRANS PNP 80V 10A TO-220AB


BD810中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -10.0 A

极性 PNP

耗散功率 90.0 W

集电极击穿电压 80.0 V

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 15 @4A, 2V

额定功率Max 90 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 50

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD810
型号: BD810
描述:功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICON
替代型号BD810
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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