BDV65B

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BDV65B概述

DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The NPN and BDV64B PNP are complementary devices.

Features

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High DC Current Gain HFE = 1000 min. @ 5 Adc
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Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors
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These devices are available in Pb-free packages. Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local sales office or representative.
BDV65B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V

额定功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-218-3

外形尺寸

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 30

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BDV65B
型号: BDV65B
描述:DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
替代型号BDV65B
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