低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistors NPN Silicon
- 双极 BJT - 单 NPN 45 V 100 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 625 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC550C ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC550CG 安森美 | 类似代替 | BC550C和BC550CG的区别 |
BC549C Diotec Semiconductor | 功能相似 | BC550C和BC549C的区别 |