BCW70LT1

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BCW70LT1概述

通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 215~500 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用

BCW70LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 215 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: BCW70LT1
描述:通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon
替代型号BCW70LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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