BCW 66G E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCW 66G E6327概述

TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 800mA 170MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3

得捷:
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

BCW 66G E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW 66G E6327

型号： BCW 66G E6327

描述：TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23

替代型号BCW 66G E6327

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCW 66G E6327 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BCW66KGE6327HTSA1 英飞凌	类似代替	BCW 66G E6327和BCW66KGE6327HTSA1的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BCW 66G E6327

Infineon 英飞凌

当前型号

BCW66KGE6327HTSA1

英飞凌

类似代替